目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。利用EUV光源进行光刻相较于普通UV可以得到更高的光刻精度，主要因为EUV的能量更小。 （ ）

目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。提高光刻最小线宽还可以通过提升介质的介电常数实现。 （ ）

常见的几种先进光刻技术有:极紫外线(EUV)光刻技术、电子束光刻、X射线光刻、浸入式光刻技术、纳米压印技术。( )

阿司匹林原料药的含量测定用（） A: A酸碱直接滴定法 B: B色谱法 C: CHPLC法 D: D酸碱两步滴定法 E: EUV法