关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-05-27 目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。提高光刻最小线宽还可以通过提升介质的介电常数实现。 （ ） 目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。提高光刻最小线宽还可以通过提升介质的介电常数实现。 （ ） 答案： 查看 举一反三 目前我国半导体制造工艺主要受制于EUV光刻机。利用EUV光源进行光刻相较于普通UV可以得到更高的光刻精度，主要因为EUV的能量更小。 （ ） 提高光刻最小线宽可以通过提升介质的介电常数实现。 提高光刻最小线宽可以通过减小光源波长实现。 光刻的分辨率是光刻工艺、光刻机等重要的指标，提高光刻系统图形加工分辨率可以采用的方法有( ) A: 采用合适的设备如数值孔径更大的光刻机 B: 利用直径足够大的晶圆片 C: 采用相移掩膜 D: X-ray光刻 课程中讲到光刻工艺有三个要素,它们分别是() A: 光刻胶 B: 光刻掩膜板 C: 光刻机 D: 硅片
