绝缘栅场效应管缩写是（） A: FET B: BTR C: IGBT D: MOS-FET
绝缘栅场效应管缩写是（） A: FET B: BTR C: IGBT D: MOS-FET
测得某FET管的输出特性如图所示，则判断此管为:[img=326x292]17869fb7e9ae872.png[/img] A: N沟道耗尽型MOS管 B: P沟道结型FET管 C: P沟道耗尽型MOS管 D: N沟道结型FET管
测得某FET管的输出特性如图所示，则判断此管为:[img=326x292]17869fb7e9ae872.png[/img] A: N沟道耗尽型MOS管 B: P沟道结型FET管 C: P沟道耗尽型MOS管 D: N沟道结型FET管
常见的电力电子器件有( ) A: SCR B: IGBT C: GTR D: MOS-FET
常见的电力电子器件有( ) A: SCR B: IGBT C: GTR D: MOS-FET
一个MOSFET的转移特性如图所示,试问该管是耗尽型还是增强型?该管是N沟道还是P沟道FET? A: N沟道增强型FET B: P沟道耗尽型FET C: P沟道增强型FET D: N沟道耗尽型FET
一个MOSFET的转移特性如图所示,试问该管是耗尽型还是增强型?该管是N沟道还是P沟道FET? A: N沟道增强型FET B: P沟道耗尽型FET C: P沟道增强型FET D: N沟道耗尽型FET
下列关于BJT和FET的描述正确的是（ ）。 A: BJT为双极型器件，FET为单极型器件； B: BJT为流控器件，FET为压控器件； C: BJT能用在高频环境，FET不可以； D: BJT和FET不可同时使用；
下列关于BJT和FET的描述正确的是（ ）。 A: BJT为双极型器件，FET为单极型器件； B: BJT为流控器件，FET为压控器件； C: BJT能用在高频环境，FET不可以； D: BJT和FET不可同时使用；
BJT与FET管的输出电阻为（） A: 均很大 B: 均很小 C: BJT管很大，FET管较小 D: BJT管很小，FET管较大
BJT与FET管的输出电阻为（） A: 均很大 B: 均很小 C: BJT管很大，FET管较小 D: BJT管很小，FET管较大
当栅源电压等于零时，增强型FET 导电沟道，结型FET的沟道电阻
当栅源电压等于零时，增强型FET 导电沟道，结型FET的沟道电阻
FET表示的含义是（）
FET表示的含义是（）
场效应管（FET）本质上是一个
场效应管（FET）本质上是一个
FET是 器件，BJT是 器件
FET是 器件，BJT是 器件