对于离子注入机，下列说法正确的是 A: 离子源负责产生等离子体，其中离子用于后续离子注入。 B: 抑制电极可以有效防止被加速的离子撞击电极产生的二次电子向离子源系统的轰击。 C: 前加速电极用于加速离子并轰击晶圆，后加速电极用于加速离子便于质谱仪提纯。 D: 晶圆表面因离子轰击会积累正电荷，因此极板需接地，中和多余正电荷。
对于离子注入机，下列说法正确的是 A: 离子源负责产生等离子体，其中离子用于后续离子注入。 B: 抑制电极可以有效防止被加速的离子撞击电极产生的二次电子向离子源系统的轰击。 C: 前加速电极用于加速离子并轰击晶圆，后加速电极用于加速离子便于质谱仪提纯。 D: 晶圆表面因离子轰击会积累正电荷，因此极板需接地，中和多余正电荷。
有机化合物在电子轰击离子源中产生的离子有（）。 A: 分子离子 B: 同位素离子 C: 碎片离子 D: 中性离子
有机化合物在电子轰击离子源中产生的离子有（）。 A: 分子离子 B: 同位素离子 C: 碎片离子 D: 中性离子
有机化合物在电子轰击离子源中有可能产生哪些类型的离子 A: 分子离子 B: 同位素离子 C: 碎片离子 D: 加和离子
有机化合物在电子轰击离子源中有可能产生哪些类型的离子 A: 分子离子 B: 同位素离子 C: 碎片离子 D: 加和离子
有机化合物在电子轰击离子源中有可能产生那些类型的离子？
有机化合物在电子轰击离子源中有可能产生那些类型的离子？
要想获得较多的碎片离子，应采用 （ ） A: 电子轰击电离源 B: 化学电离源 C: 快原子轰击电离源 D: 电喷雾离子源
要想获得较多的碎片离子，应采用 （ ） A: 电子轰击电离源 B: 化学电离源 C: 快原子轰击电离源 D: 电喷雾离子源
离子注入过程中需要遵守三大方向,其中一个是掺杂物类型是由( )材料决定的。 A: 离子电流 B: 离子源材料 C: 离子轰击注入的能量 D: 离子电流与注入时间相乘
离子注入过程中需要遵守三大方向,其中一个是掺杂物类型是由( )材料决定的。 A: 离子电流 B: 离子源材料 C: 离子轰击注入的能量 D: 离子电流与注入时间相乘
离子束加工时,由于离子质量大,当垂直撞击时离子可注入工件材料内部,称为______ ;当离子同时轰击靶材和工件表面,称为______ 。
离子束加工时,由于离子质量大,当垂直撞击时离子可注入工件材料内部,称为______ ;当离子同时轰击靶材和工件表面,称为______ 。
可以研究母离子和子离子的关系，获得裂解过程的信息，用以确定前体离子和产物离子结构的质谱技术为 A: 电子轰击质谱 B: 快原子轰击质谱 C: 场解吸质谱 D: 串联质谱 E: 电喷雾电离质谱
可以研究母离子和子离子的关系，获得裂解过程的信息，用以确定前体离子和产物离子结构的质谱技术为 A: 电子轰击质谱 B: 快原子轰击质谱 C: 场解吸质谱 D: 串联质谱 E: 电喷雾电离质谱
稳定性好，得到的碎片离子信息丰富，但不适用于难气化样品离子源是 A: 电子轰击离子源 B: 电喷雾离子源 C: 化学电离子源 D: 快原子轰击离子源
稳定性好，得到的碎片离子信息丰富，但不适用于难气化样品离子源是 A: 电子轰击离子源 B: 电喷雾离子源 C: 化学电离子源 D: 快原子轰击离子源
离子渗碳是用离子轰击气体渗碳，与真空渗碳一样不需要气体发生器和碳势控制仪，渗层浓度可用调节放电电流密度的方法来控制。
离子渗碳是用离子轰击气体渗碳，与真空渗碳一样不需要气体发生器和碳势控制仪，渗层浓度可用调节放电电流密度的方法来控制。