原料CO2气体中含有CO（）。 A: 0.3%（V） B: 0.2%（V） C: 0.4%（V）
原料CO2气体中含有CO（）。 A: 0.3%（V） B: 0.2%（V） C: 0.4%（V）
硅二极管的正向压降是（） A: A0.7V B: B0.2V C: C1V
硅二极管的正向压降是（） A: A0.7V B: B0.2V C: C1V
硅二极管的正向导通压降大约是( )。 A: 0.7 V B: 0.2 V C: 0.3 V D: 1.4 V
硅二极管的正向导通压降大约是( )。 A: 0.7 V B: 0.2 V C: 0.3 V D: 1.4 V
硅二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V,锗二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V。 A: 1.4<br/>V,1V B: 1<br/>V,1.4V C: 0.7<br/>V,0.2<br/>V D: 0.2<br/>V,0.7<br/>V
硅二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V,锗二极管正向导通时,导通电压是(<br/>)V。 A: 1.4<br/>V,1V B: 1<br/>V,1.4V C: 0.7<br/>V,0.2<br/>V D: 0.2<br/>V,0.7<br/>V
2.4.1硅材料二极管的死区电压___V，锗材料二极管的死区电压为___V。 A: 0.2, 0.7 B: 0.7, 0.2 C: 0.5， 0.1 D: 0.1, 0.5
2.4.1硅材料二极管的死区电压___V，锗材料二极管的死区电压为___V。 A: 0.2, 0.7 B: 0.7, 0.2 C: 0.5， 0.1 D: 0.1, 0.5
硅二极管导通压降约为（ ）V。 A: 0.1～0.2 B: 0.2～0.3 C: 0.4～0.5 D: 0.6～0.7
硅二极管导通压降约为（ ）V。 A: 0.1～0.2 B: 0.2～0.3 C: 0.4～0.5 D: 0.6～0.7
锗二极管的死区电压为（ ）V。 A: 0.5 B: 0.2 C: 0.3
锗二极管的死区电压为（ ）V。 A: 0.5 B: 0.2 C: 0.3
在氧化还原滴定法中，对于1: 1类型的反应，一般氧化剂和还原剂标准电位的差值至少应为多少，才可用氧化还原指示剂指示滴定终点 A: 大于0.2 V B: 0.2~0.3 V C: 大于0.35 V D: 大于0.6 V
在氧化还原滴定法中，对于1: 1类型的反应，一般氧化剂和还原剂标准电位的差值至少应为多少，才可用氧化还原指示剂指示滴定终点 A: 大于0.2 V B: 0.2~0.3 V C: 大于0.35 V D: 大于0.6 V
当NPN硅三极管处于放大状态时，发射结电压VBE最可能等于______。 A: –0.69 V B: 0.2 V C: 0.68V D: 1.5 V
当NPN硅三极管处于放大状态时，发射结电压VBE最可能等于______。 A: –0.69 V B: 0.2 V C: 0.68V D: 1.5 V
2.4.6锗二极管导通时的正向压降约为V，硅二极管导通时的正向压降约为V。 A: 0.7, 0.2 B: 0.2, 0.7 C: 0.1, 0.5 D: 0.5, 0.9
2.4.6锗二极管导通时的正向压降约为V，硅二极管导通时的正向压降约为V。 A: 0.7, 0.2 B: 0.2, 0.7 C: 0.1, 0.5 D: 0.5, 0.9