假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时，导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大，夹断点移向源极侧，沟道有效长度变短。
假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时，导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大，夹断点移向源极侧，沟道有效长度变短。
假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时，导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大，夹断点移向源极侧，沟道有效长度变短。 A: 正确 B: 错误
假设NMOS晶体管栅源电压大于阈值电压。当漏源电压VDS等于饱和电压VDSsat时，导电沟道靠近漏极处开始出现夹断。如果VDS继续增大，夹断点移向源极侧，沟道有效长度变短。 A: 正确 B: 错误
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