一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为http://img1.ph.126.net/kavNlwpgsOMjxWwCnnGRYA==/6632397075260729839.png。当氧化层厚度为http://img1.ph.126.net/f7mTar_0M6x4Ms3EBxEQaw==/2593510435431633043.png时，阈值电压为http://img0.ph.126.net/VEG_1tls-6S7YEhEEcWedw==/6632540011772333640.png，则当氧化层厚度为http://img0.ph.126.net/Y1MihiSwzZZAKeok1ACJnA==/3084121319838285336.png时的阈值电压为( )http://img0.ph.126.net/nyaDreXh2hBEAbxTbVRPZg==/2593791910408322877.png。