一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为http://img1.ph.126.net/kavNlwpgsOMjxWwCnnGRYA==/6632397075260729839.png。当氧化层厚度为http://img1.ph.126.net/f7mTar_0M6x4Ms3EBxEQaw==/2593510435431633043.png时，阈值电压为http://img0.ph.126.net/VEG_1tls-6S7YEhEEcWedw==/6632540011772333640.png，则当氧化层厚度为http://img0.ph.126.net/Y1MihiSwzZZAKeok1ACJnA==/3084121319838285336.png时的阈值电压为( )http://img0.ph.126.net/nyaDreXh2hBEAbxTbVRPZg==/2593791910408322877.png。
举一反三
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1803c7aa030c30c.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1803c7aa0c1d378.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1803c7aa1447bed.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1803c7aa1d6504c.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1803c7aa25de3f4.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1802f7f9b13da81.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1802f7f9b9b939d.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1802f7f9c1f359f.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1802f7f9ca8d221.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1802f7f9d35a265.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1803b2f69428867.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1803b2f69cb4857.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1803b2f6a46b08f.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1803b2f6ad46aa8.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1803b2f6b4f9225.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- <img src="http://img1.ph.126.net/JMg9tqo6gf8sEot0y9NSUg==/6619559177490984445.gif" />? 0|<img src="http://img1.ph.126.net/uSXYTJKY1--cmM46BmL7Pg==/1177972777551495010.gif" />|<img src="http://img0.ph.126.net/-vDBDVZEQJqbFun7PrX7vg==/2887370311115280318.gif" />|<img src="http://img2.ph.126.net/NK1mnxUZa_ibCGqQvHOaoQ==/2435884448470832003.gif" />
- 飞机失事的概率为P，则100次飞行中至少一次失事的概率为( )? <img src="http://img0.ph.126.net/fIQGm2bDx9wEd0hsW3P-9A==/3751779964676851056.png" />|<img src="http://img0.ph.126.net/ls1h1UW62IBC8woqZ3CXHQ==/6598121999344777491.png" />|<img src="http://img0.ph.126.net/m0azeBx7jEs6KNFlrj-Z1A==/6631353638727847308.png" />|<img src="http://img1.ph.126.net/2GZakSxdA4YW-SvjdUoJ7A==/4930315692164400004.png" />