举一反三
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1803c7aa030c30c.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1803c7aa0c1d378.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1803c7aa1447bed.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1803c7aa1d6504c.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1803c7aa25de3f4.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1802f7f9b13da81.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1802f7f9b9b939d.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1802f7f9c1f359f.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1802f7f9ca8d221.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1802f7f9d35a265.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]1803b2f69428867.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]1803b2f69cb4857.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]1803b2f6a46b08f.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]1803b2f6ad46aa8.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]1803b2f6b4f9225.png[/img]。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- <img src="http://img1.ph.126.net/JMg9tqo6gf8sEot0y9NSUg==/6619559177490984445.gif" />? 0|<img src="http://img1.ph.126.net/uSXYTJKY1--cmM46BmL7Pg==/1177972777551495010.gif" />|<img src="http://img0.ph.126.net/-vDBDVZEQJqbFun7PrX7vg==/2887370311115280318.gif" />|<img src="http://img2.ph.126.net/NK1mnxUZa_ibCGqQvHOaoQ==/2435884448470832003.gif" />
- 飞机失事的概率为P，则100次飞行中至少一次失事的概率为( )? <img src="http://img0.ph.126.net/fIQGm2bDx9wEd0hsW3P-9A==/3751779964676851056.png" />|<img src="http://img0.ph.126.net/ls1h1UW62IBC8woqZ3CXHQ==/6598121999344777491.png" />|<img src="http://img0.ph.126.net/m0azeBx7jEs6KNFlrj-Z1A==/6631353638727847308.png" />|<img src="http://img1.ph.126.net/2GZakSxdA4YW-SvjdUoJ7A==/4930315692164400004.png" />
内容
- 0
一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为[img=164x25]180357639045026.png[/img]。当氧化层厚度为[img=49x22]180357639a86422.png[/img]时，阈值电压为[img=37x19]18035763a2319ad.png[/img]，则当氧化层厚度为[img=49x22]18035763aa909ac.png[/img]时的阈值电压为( )[img=14x19]18035763b2e2281.png[/img]。 A: [img=23x18]18035763bbdd94a.png[/img] B: [img=23x18]18035763c493e1f.png[/img] C: [img=23x18]18035763cd032e6.png[/img] D: [img=32x18]18035763d553546.png[/img]
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图所示机构的自由度为（ ）。[img=175x154]18034e434a30cd8.jpg[/img] A: n=7, PL=10, Ph=1, F=0 B: n=7, PL=10, Ph=1, F=0 C: n=8, PL=12, Ph=0, F=0 D: n=7, PL=10, Ph=0, F=1
- 2
一个理想的MOS电容器，p型Si衬底的掺杂浓度为NA=1.5×10^15cm^-3。当氧化层厚度为0.1微米时，阈值电压为1.1V，则当氧化层厚度为0.2微米时的阈值电压为V
- 3
<img src="http://img0.ph.126.net/qTvKCnpBxCeCijb88CKSNQ==/6632485036189822509.png" />? <img src="http://img1.ph.126.net/Y7wKEaGGeNBuSwc9GbYuyg==/6608251799912132017.png" />|<img src="http://img1.ph.126.net/7acB1UIp2O_CZmSqpGA0yQ==/6597158827100659273.png" />|<img src="http://img1.ph.126.net/-Fgn4AoNQzVftUnH_lPeHg==/6630151872514107031.png" />|<img src="http://img1.ph.126.net/knoGV4UX9L4YUquOIP-Jxw==/1409626683467679913.png" />
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<img src="http://img0.ph.126.net/q6tqn77YyTg_j7CabeHYJw==/3109735542717391842.jpg" />? <img src="http://img1.ph.126.net/QO3FWMGgxAVtN31l0ulKFw==/6619487709235793443.jpg" />|<img src="http://img2.ph.126.net/-x9WCwFJKaqmfOJLJjH0_Q==/6630623563001319953.jpg" />|<img src="http://img1.ph.126.net/5eiGUQZYA2gEX9q4m57n4Q==/6608642126539334311.jpg" />|<img src="http://img1.ph.126.net/YixVkAU6iexb7xitW-q8Lg==/6630125484233816848.jpg" />