在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。 A: 填隙扩散 B: 杂质扩散 C: 推挤扩散 D: 自扩散
在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。 A: 填隙扩散 B: 杂质扩散 C: 推挤扩散 D: 自扩散
晶体中的空位、自填隙、杂质都对杂质扩散有影响，其中空位对P、B等慢扩散杂质的影响最大。
晶体中的空位、自填隙、杂质都对杂质扩散有影响，其中空位对P、B等慢扩散杂质的影响最大。
在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。 A: 推挤扩散 B: 杂质扩散 C: 填隙扩散 D: 自扩散
在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。 A: 推挤扩散 B: 杂质扩散 C: 填隙扩散 D: 自扩散
杂质在硅中扩散主要采用两种方式：恒定表面源扩散和限定表面源扩散，下面对其叙述正确的有 A: 恒定表面源扩散指将硅片处于恒定浓度的杂质氛围中，杂质扩散到硅表面很薄的表层。 B: 恒定表面源扩散特点：可控制表面浓度和扩散探度，但不能任意控制杂质总量，因而难以制作出高表面浓度的浅结 C: 限定表面源扩散指在扩散过程中硅片外部无杂质的环境氛围下，杂质源限定于扩散前淀积在硅片表面极薄层内的杂质总量Q，扩散过程中Q为常量，依靠这些有限的杂质向硅片内进行的扩散。 D: 限定表面源扩散特点：控制杂质总量和扩散深度，但不能任意控制表面浓度，难以制作出低表面浓度的深结
杂质在硅中扩散主要采用两种方式：恒定表面源扩散和限定表面源扩散，下面对其叙述正确的有 A: 恒定表面源扩散指将硅片处于恒定浓度的杂质氛围中，杂质扩散到硅表面很薄的表层。 B: 恒定表面源扩散特点：可控制表面浓度和扩散探度，但不能任意控制杂质总量，因而难以制作出高表面浓度的浅结 C: 限定表面源扩散指在扩散过程中硅片外部无杂质的环境氛围下，杂质源限定于扩散前淀积在硅片表面极薄层内的杂质总量Q，扩散过程中Q为常量，依靠这些有限的杂质向硅片内进行的扩散。 D: 限定表面源扩散特点：控制杂质总量和扩散深度，但不能任意控制表面浓度，难以制作出低表面浓度的深结
填隙扩散的特点有（ ）。 A: 对硅掺杂水平无直接贡献 B: 填隙型杂质扩散很快 C: 对硅掺杂水平有直接贡献 D: 填隙型杂质扩散很慢
填隙扩散的特点有（ ）。 A: 对硅掺杂水平无直接贡献 B: 填隙型杂质扩散很快 C: 对硅掺杂水平有直接贡献 D: 填隙型杂质扩散很慢
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量，扩散的杂质越多，电阻越（）。
方块电阻反映了单位面积扩散进去的杂质总量，扩散的杂质越多，电阻越（）。
恒定源扩散在整个扩散的过程中杂质溶度始终保持不变;限定源扩散在整个扩散过程中单位面积杂质总量为常量。(<br/>)
恒定源扩散在整个扩散的过程中杂质溶度始终保持不变;限定源扩散在整个扩散过程中单位面积杂质总量为常量。(<br/>)
如果扩散过程中始终保持表面杂质浓度不变(无限源扩散),那么形成的杂质分布是()分布;如果扩散过程中保持杂质的总量不变(限定源扩散),则形成的杂质分布是()分布
如果扩散过程中始终保持表面杂质浓度不变(无限源扩散),那么形成的杂质分布是()分布;如果扩散过程中保持杂质的总量不变(限定源扩散),则形成的杂质分布是()分布
杂质在硅晶体中的扩散可分为两种机制，分别为 扩散和 扩散。
杂质在硅晶体中的扩散可分为两种机制，分别为 扩散和 扩散。