如图，AB//CD，EF⊥AB于E，EF交CD于F，已知∠1=63°，则∠2＝
如图，AB//CD，EF⊥AB于E，EF交CD于F，已知∠1=63°，则∠2＝
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
七位带符号二进制数原码的数值范围为？ A: -63~+63 B: -64~+63 C: -63~+64 D: -64~+64
七位带符号二进制数原码的数值范围为？ A: -63~+63 B: -64~+63 C: -63~+64 D: -64~+64
关于流动效率EF与表皮系数S的关系，描述正确的是（ ） A: S>0，则EF<1 B: S<0，则EF>1 C: S=0， 则Ef=1 D: S=1， 则EF=0
关于流动效率EF与表皮系数S的关系，描述正确的是（ ） A: S>0，则EF<1 B: S<0，则EF>1 C: S=0， 则Ef=1 D: S=1， 则EF=0
以下哪些图像格式支持透明背景（） A: PNG/JPEG B: PNG/GIF C: JPEG/GIF D: BMP/PNG
以下哪些图像格式支持透明背景（） A: PNG/JPEG B: PNG/GIF C: JPEG/GIF D: BMP/PNG
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δ<SUB>ef</SUB>＜20% B: 20%≤δ<SUB>ef</SUB>＜30% C: 30%≤δ<SUB>ef</SUB>＜40% D: δ<SUB>ef</SUB>≥40%
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δ<SUB>ef</SUB>＜20% B: 20%≤δ<SUB>ef</SUB>＜30% C: 30%≤δ<SUB>ef</SUB>＜40% D: δ<SUB>ef</SUB>≥40%
第七章，下面说法中不正确的是（） A: EF = ES + duration B: LS = LF – duration C: TF = LS –ES = LF – EF D: EF = ES + lag
第七章，下面说法中不正确的是（） A: EF = ES + duration B: LS = LF – duration C: TF = LS –ES = LF – EF D: EF = ES + lag