如图，⊙O直径CD经过弦EF的中点G，∠E=54°，则∠DCF=（ ） A: 18° B: 27° C: 36° D: 54°
如图，⊙O直径CD经过弦EF的中点G，∠E=54°，则∠DCF=（ ） A: 18° B: 27° C: 36° D: 54°
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
表达式a*（b+c-d）+e*f的前缀表达式是：（）。 A: +*a-+bcd*ef B: *a-+bcd+*ef C: -+bcd*a+*ef D: abc+d-*ef*+
从几何条件和能量条件两方面判断下列位错反应是可以进行的：[img=432x81]18032575704ef27.png[/img]
从几何条件和能量条件两方面判断下列位错反应是可以进行的：[img=432x81]18032575704ef27.png[/img]
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
膨胀土具有一定的胀缩性，根据自由膨胀率指标δef可确定是否为膨胀土。当δef为下列( )范围时，即可定为膨胀土。 A: δef＜20% B: 20%≤δef＜30% C: 30%≤δef＜40% D: δef≥40%
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
设f（x）可微，则d（ef（x））=（）。 A: f,（x）dx B: ef（x）dx C: f,（x）ef（x）dx D: ef,（x）dx
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时, 有（ ）。 A: EF＞Ei B: EF=Ei C: EF＜Ei D: EF＜Ev
关于流动效率EF与表皮系数S的关系，描述正确的是（ ） A: S>0，则EF<1 B: S<0，则EF>1 C: S=0， 则Ef=1 D: S=1， 则EF=0
关于流动效率EF与表皮系数S的关系，描述正确的是（ ） A: S>0，则EF<1 B: S<0，则EF>1 C: S=0， 则Ef=1 D: S=1， 则EF=0
直线EF的三面投影如图所示，则直线EF是（）。10e16a06a68d8632a1ba823c65aa835a.png
直线EF的三面投影如图所示，则直线EF是（）。10e16a06a68d8632a1ba823c65aa835a.png
直线EF的三面投影如图所示，则直线EF是（ ）。10e16a06a68d8632a1ba823c65aa835a.png
直线EF的三面投影如图所示，则直线EF是（ ）。10e16a06a68d8632a1ba823c65aa835a.png
直线EF⊥GH，其中EF是水平线，根据直角投影定理，EF与GH直线在投影面上投影反映直角。
直线EF⊥GH，其中EF是水平线，根据直角投影定理，EF与GH直线在投影面上投影反映直角。