将下列两组离子分别按离子极化力及变形性由小到大的次序重新排列。 （1）Al3+ Na+ Si4+ （2）Sn2+ Ge2+ I-

设\(D = \left\{ {(x,y)\left| { { x^2} + {y^2} \le 9,x \ge 0,y \ge 0} \right.} \right\}\)，则\(\int\!\!\!\int\limits_D {(x + 3y)} d\sigma = \)______

11、下列离子中极化力最大的是 （ ） A: Ge2+ B: Sn2+ C: I- D: S2-

设D是由\( {x^2} + {y^2} \le 1 \) ，\( x \ge 0 \) ，\( y \ge 0 \) 所围区域，则\( \int\!\!\!\int\limits_D {x{y^2}} dxdy \) =（ ） A: \( {1 \over 5} \) B: \( {1 \over {15}} \) C: \( {2 \over {15}} \) D: 1

S5700-EI支持哪几种业务插卡（）。 A: 8*GE电口卡 B: 8*GE光口卡 C: 4*10GESFP+子卡 D: 2*10GESFP+子卡

以下选择中端口形态描述正确的是（）。 A: S1808G；8*GE（电） B: S1850-28P；24*GE（电）+4*GE（Combo） C: S2610；8*FE（电）+4*GE（光） D: S5008PV2-EI；8*GE（电）+4*GE（Combo）

1.设${{J}_{k}}=\int_{{}}^{{}}{\frac{dx}{{{\left[ {{(x+a)}^{2}}+{{b}^{2}} \right]}^{k}}}}\quad (b\ne 0)$，则${{J}_{k}}$满足( )。 A: ${{J}_{k+1}}=\frac{1}{2k{{b}^{2}}}\left[ (x+a){{\left( {{(x+a)}^{2}}+{{b}^{2}} \right)}^{-k}}-(2k-1){{J}_{k}} \right],\quad (k\ge 2)$ B: ${{J}_{k+1}}=\frac{1}{2k{{b}^{2}}}\left[ (x+a){{\left( {{(x+a)}^{2}}+{{b}^{2}} \right)}^{-k}}+(2k-1){{J}_{k}} \right],\quad (k\ge 2)$ C: ${{J}_{k+1}}=\frac{1}{2{{b}^{2}}}\left[ (x+a){{\left( {{(x+a)}^{2}}+{{b}^{2}} \right)}^{-k}}+(2k+1){{J}_{k}} \right],\quad (k\ge 2)$ D: ${{J}_{k+1}}=\frac{1}{2{{b}^{2}}}\left[ (x+a){{\left( {{(x+a)}^{2}}+{{b}^{2}} \right)}^{-k}}+(2k-1){{J}_{k}} \right],\quad (k\ge 2)$

设随机变量 $X\sim B(2,p),Y\sim B(3,p)$，若 $P\{X\ge 1\}=\displaystyle\frac{5}{9}$，则 $P\{Y\ge 1\}=$ ______ . (要求：填分数)

下面EL表达式中，返回结果为false的是（ ） A: ${10 lt 2} B: ${10 eq 2} C: ${10 ge 2} D: ${10 ne 2}

函数$y=^{x^2,x\ge 1}_{2x,x<1}$在x=1处可导