对于漂移晶体管，与基区自建电场大小无关的是（ ）。
A: 基区宽度
B: 温度
C: 发射结边界靠近基区一侧的杂质浓度
D: 集电结边界靠近基区一侧的电流密度
A: 基区宽度
B: 温度
C: 发射结边界靠近基区一侧的杂质浓度
D: 集电结边界靠近基区一侧的电流密度
举一反三
- 对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。
- 对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。
- 对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。 A: 正确 B: 错误
- 缓变基区晶体管的基区自建电场不利于少子通过基区
- 要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法（ ）。 A: 增大基区掺杂浓度 B: 减小基区掺杂浓度 C: 增大基区宽度 D: 减小基区宽度