P沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是() A: UGST,UDS≥UDS-UT B: UGST,UDS≤UGS-UT C: UGS>UT,UDS≥UDS-UT D: UGS>UT,UDS≤UGS-UT

耗尽型NMOS场效应具有原始导电沟道，在（）时，即可形成ID。 A: UGS＞UT B: UGS＜UT C: UGS=0 D: UGS＜UP

增强型NMOS管的截止条件为__( )____。 A: UGS > UT B: UGS < UT C: UDS = VDD D: UDS < VDD

表征场效应管放大作用的重要参数是（ ） A: 跨导gm=ΔID/ΔUGS B: 直流输入电阻RGS C: 开启电压UT D: 电流放大系数β

N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是： A: UGS> UGS(th), UDS> UGS - UGS(th) B: UGS> UGS(th), UDS< UGS - UGS(th) C: UGS<UGS(th), UDS> UGS - UGS(th) D: UGS< UGS(th), UDS<UGS - UGS(th)

欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道，应使（）。 A: UGS＞UGS,off B: UGS＞UGS,th C: UGS＜UGS,off D: UGS＜UGS,th

N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: uGS大于UGS(th)并且uGD大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th)并且uGD大于UGS(th) C: uGS大于UGS(th)并且uGD小于UGS(th) D: uGS小于UGS(th)并且uGD小于UGS(th)

N沟道结型场效应管工作在可变电阻区的条件是（） A: uGS大于UGS(off)并且uGD小于UGS(off) B: uGS大于UGS(off)并且uGD大于UGS(off) C: uGS小于UGS(off)并且uGD大于UGS(off) D: uGS小于UGS(off)并且uGD小于

使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: UGS大于UGS(th) B: UGS小于UGS(th) C: UGS大于UGS(off) D: UGS小于UGS(off)

使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是（） A: uGS大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th) C: uGS大于UGS(off) D: uGS小于