中国大学MOOC: 宽禁带半导体材料用于制作新型电力电子开关，下列描述（）不属于它的特点
举一反三
- 宽禁带半导体材料用于制作新型电力电子开关，下列描述（）不属于它的特点 A: 耐受高电压的能力 B: 较高的通态电阻 C: 更好的导热性能 D: 热稳定性好，抗辐射的能力强
- 较之于硅材料制作的电力电子器件，采用SiC等宽禁带半导体材料制作的电力电子器件具有明显的优势，以下描述哪一项是错误的？ A: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力 B: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更大的过流能力 C: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更快的开关速度 D: 宽禁带半导体材料的电力电子器件具有比硅器件更低的成本
- 有关新型半导体器件，表述正确的是： A: 集成门极换流晶闸管简称为IGCT。 B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。 C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。
- 有关新型半导体器件，下面表述正确的是： A: 集成门极换流晶闸管简称IGCT。 B: 金属的禁带宽度比宽禁带半导体材料宽。 C: 绝缘体的禁带宽度比宽禁带半导体材料窄。 D: 半导体的禁带宽度比金属的禁带宽度窄。
- 在异质结双极型晶体管中，通常用（ ）。 A: 窄禁带材料制作发射区，用宽禁带材料制作基区 B: 宽禁带材料制作基区区，用窄禁带材料制作集电区 C: 窄禁带材料制作基区，用宽禁带材料制作集电区 D: 宽禁带材料制作发射区，用窄禁带材料制作基区