以下关于DRAM和SRAM说法正确的是（）
A: DRAM具有双稳态特性
B: SRAM将每个位存储为对一个电容的充电
C: DRAM主要用于主存，帧缓冲区
D: SRAM对干扰非常敏感
A: DRAM具有双稳态特性
B: SRAM将每个位存储为对一个电容的充电
C: DRAM主要用于主存，帧缓冲区
D: SRAM对干扰非常敏感
举一反三
- 以下关于DRAM和SRAM说法错误的是（） A: DRAM将每个位存储为对一个电容的充电 B: SRAM对光干扰敏感，对电干扰不敏感 C: SRAM主要用于高速缓存 D: SRAM具有双稳态特性
- 以下关于DRAM和SRAM说法错误的是（） A: ADRAM将每个位存储为对一个电容的充电 B: BSRAM对光干扰敏感，对电干扰不敏感 C: CSRAM主要用于高速缓存 D: DSRAM具有双稳态特性
- 以下关于SRAM和DRAM的区别描述中，（）是不对的。 A: SRAM比DRAM慢 B: SRAM比DRAM耗电多 C: DRAM存储密度比SRAM高得多 D: AM需要周期性刷新
- SRAM和DRAM的区别？（） A: SRAM比DRAM功耗高 B: SRAM比DRAM成本高 C: SRAM比DRAM速度快 D: SRAM比DRAM散热大
- DRAM、SRAM两者的区别是 A: DRAM集成度比SRAM低 B: DRAM集成度比SRAM高 C: DRAM读取速度比SRAM快 D: DRAM断电后数据消失,但SRAM不会