以下关于DRAM和SRAM说法错误的是（）
A: DRAM将每个位存储为对一个电容的充电
B: SRAM对光干扰敏感，对电干扰不敏感
C: SRAM主要用于高速缓存
D: SRAM具有双稳态特性
A: DRAM将每个位存储为对一个电容的充电
B: SRAM对光干扰敏感，对电干扰不敏感
C: SRAM主要用于高速缓存
D: SRAM具有双稳态特性
举一反三
- 以下关于DRAM和SRAM说法正确的是（） A: DRAM具有双稳态特性 B: SRAM将每个位存储为对一个电容的充电 C: DRAM主要用于主存，帧缓冲区 D: SRAM对干扰非常敏感
- 以下关于DRAM和SRAM说法错误的是（） A: ADRAM将每个位存储为对一个电容的充电 B: BSRAM对光干扰敏感，对电干扰不敏感 C: CSRAM主要用于高速缓存 D: DSRAM具有双稳态特性
- 以下关于SRAM和DRAM的区别描述中，（）是不对的。 A: SRAM比DRAM慢 B: SRAM比DRAM耗电多 C: DRAM存储密度比SRAM高得多 D: AM需要周期性刷新
- SRAM和DRAM的区别？（） A: SRAM比DRAM功耗高 B: SRAM比DRAM成本高 C: SRAM比DRAM速度快 D: SRAM比DRAM散热大
- 下列关于DRAM和SRAM的说法中，错误的是______。 Ⅰ．SRAM不是易失性存储器，而DRAM是易失性存储器 Ⅱ．DRAM比SRAM集成度更高，因此读写速度也更快 Ⅲ．主存只能由DRAM构成，而高速缓存只能由SRAM构成 Ⅳ．与SRAM相比，DRAM由于需要刷新，因此功耗较高 A: Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ B: Ⅰ、Ⅲ、Ⅳ C: Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ D: Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ、Ⅳ