对于p型半导体，费米能级随掺杂浓度的变化情况为：
举一反三
- 中国大学MOOC:对于p型半导体，费米能级随掺杂浓度的变化情况为：
- 对于p型半导体,费米能级随掺杂浓度的变化情况为: A: 费米能级随掺杂浓度的增加向禁带中线移动 B: 费米能级随掺杂浓度的增加向价带顶移动 C: 费米能级随掺杂浓度的增加向导带底移动 D: 费米能级随掺杂浓度的增加向施主能级移动
- 关于费米能级，下列说法正确的有（） A: 半导体费米能级位置会随温度的变化而变化 B: 费米能级的位置标志着半导体中电子填充能级的水平 C: 半导体费米能级位置与掺杂浓度紧密相关 D: 掺杂浓度越高，半导费米能级的位置越高
- 费米能级EF随着掺杂浓度变化的描述不正确的是（ ） A: 随着掺杂水平的提高，n型半导体的费米能级逐渐向导带靠近。 B: 随着掺杂水平的提高，p型半导体的费米能级逐渐向价带靠近 C: 掺杂浓度要满足玻尔兹曼近似的假设 D: 以上描述都不正确
- 以下关于“费米能级的变化”说法正确的是： A: 从室温开始，随温度的升高，费米能级逐渐降低，直至到达本征费米能级。 B: 费米能级随掺杂浓度的增大向带边（导带底或价带顶）靠近。 C: 费米能级一直随温度升高而降低。 D: 费米能级一直随温度升高而增大。 E: 费米能级随掺杂浓度的增大向上移动。 F: 费米能级随掺杂浓度的增大向下移动。