采用离子注入形成轻掺杂深阱的时候，应采用 的离子注入。
A: 高剂量，高能量
B: 低剂量，低能量
C: 高剂量，低能量
D: 低剂量，高能量
A: 高剂量，高能量
B: 低剂量，低能量
C: 高剂量，低能量
D: 低剂量，高能量
举一反三
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确： A: 注入离子越轻，临界剂量越小； B: 靶温升高，临界剂量上升； C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
- 关于离子注入区形成非晶层的临界剂量,下面哪几种说法正确: A: 靶温升高，临界剂量上升； B: 注入离子剂量率增大，临界剂量降低。 C: 注入离子能量越高，临界剂量越低； D: 注入离子越轻，临界剂量越小；
- 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。 A: 能量 B: 剂量
- 离子注入的结深主要有注入的能量决定，杂质浓度分布是由剂量决定。 A: 正确 B: 错误