以下各项不属于光刻工艺三要素是:
A: 光刻胶
B: 显影液
C: 曝光机
D: 掩膜版
A: 光刻胶
B: 显影液
C: 曝光机
D: 掩膜版
B
举一反三
内容
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课程中讲到光刻工艺有三个要素,它们分别是() A: 光刻胶 B: 光刻掩膜板 C: 光刻机 D: 硅片
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光刻工艺所需要的三要素为() A: 光源、光刻胶和掩模版 B: 光刻胶、掩模版和光刻机 C: 光源、掩模版和超净间 D: 光刻胶、掩模版和光刻焦深
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显影就是溶解掉正胶工艺的光刻胶，或负胶工艺的光刻胶。该工艺中需要严格控制和。 A: 被曝光 B: 未曝光 C: 显影液温度 D: 显影时间
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在集成电路中，将掩膜版上的图形位置及几何尺寸转移到光刻胶上的工艺是（）。 A: 薄膜制备 B: 光刻 C: 刻蚀 D: 金属化
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正性光刻工艺中，得到的图形与掩膜版上相反