一维简单晶格，紧束缚近似下s态能带函数Es(k)，其能带顶部空穴有效质量和能带底部电子有效质量分别为？
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举一反三
- 一维简单晶格，紧束缚近似下s态能带函数Es(k)，其能带顶部空穴有效质量和能带底部电子有效质量分别为？ A: [img=170x27]180392369198574.png[/img] B: [img=184x27]1803923699f97ad.png[/img] C: [img=184x27]18039236a1e68d7.png[/img] D: [img=198x27]18039236a9af1b0.png[/img]
- 能带顶部空穴的有效质量和能带底部电子的有效质量分别为？
- 一维简单晶格，紧束缚近似下s态能带函数Es(k)的极大值和极小值对应的电子波失分别位于？ 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一维简单晶格，紧束缚近似下s态能带函数Es(k)的极大值和极小值对应的电子波失分别位于？ 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 中国大学MOOC: 能带顶部空穴的有效质量和能带底部电子的有效质量分别为？