下面散射引起的弛豫时间与平均自由时间相同的是（）。
A: 电离杂质散射
B: 晶格振动散射
A: 电离杂质散射
B: 晶格振动散射
举一反三
- 最常见的载流子散射是电离杂质散射和晶格振动散射。 A: 正确 B: 错误
- 中国大学MOOC: 最常见的载流子散射是电离杂质散射和晶格振动散射。
- 随着温度的升高，n型半导体电导率的变化应为 A: 先增大（考虑杂质电离和电离杂质散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）； B: 先增大（考虑杂质电离和晶格振动散射），后减小（考虑晶格振动散射），再增大（考虑本征激发）； C: 先减小（考虑晶格振动散射），后增大（考虑本征激发），再减小（考虑晶格振动散射）； D: 先增大（晶格振动散射），后减小（考虑杂质电离和电离杂质散射），再增大（考虑本征激发）；
- 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（ ） A: 电离杂质散射 B: 载流子间的散射 C: 中性杂质散射 D: 晶格振动散射
- 下列哪个是Si、Ge元素半导体的主要散射机构？ A: 电离杂质散射 B: 晶格振动散射 C: 光学波散射 D: 谷间散射 E: 位错散射