在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。
相同；同质外延；异质外延
举一反三
- 在外延工艺中，如果膜和衬底材料相同，例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（ ） A: 同质外延 B: 异质外延
- 在外延工艺中，如果膜和衬底材料不一致，例如蓝宝石衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（ ） A: 同质外延 B: 异质外延
- 薄膜外延生长技术是指在单晶衬底上,定向地生长与衬底晶体结构相同或类似的晶态薄层。如果生长材料与衬底成分相同,称为______ 外延;生长材料与衬底成分不同,称为______ 外延。
- 外延是指在单晶衬底上，用物理或化学的方法，按衬底晶向排列（生长）单晶膜的工艺过程。
- 与金属铝容易形成良好欧姆接触的硅衬底是：（）。 A: 本征硅衬底 B: 重掺杂硅衬底 C: 轻掺杂p型硅衬底 D: 轻掺杂n型硅衬底
内容
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高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。
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外延是指在单晶衬底上，用物理或化学的方法，按衬底晶向排列（生长）单晶膜的工艺过程。 A: 正确 B: 错误
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中国大学MOOC: 高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。
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高阻衬底材料上生长低阻外延层的工艺称为正向外延。 A: 正确 B: 错误
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中国大学MOOC: 下面哪些说法是正确的（） ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低