在CMOS工艺中，通常采用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备。（ ）
举一反三
- 显影就是溶解掉正胶工艺的光刻胶，或负胶工艺的光刻胶。该工艺中需要严格控制和。 A: 被曝光 B: 未曝光 C: 显影液温度 D: 显影时间
- 光刻工艺中,在对衬底进行表面处理并旋涂光刻胶后需要进行烘烤,以去除光刻胶中的溶剂、消除胶层内应力,这一步称为(______ )或软烘;之后在光刻机上进行对准和曝光,曝光之后一般还要进行一次烘烤,以减轻驻波效应,这一步称为(______ );显影之后要进行一次烘烤,以消除显影过程中带来的水分并增强光刻胶的粘附性和抗刻蚀性,这一步称为(______ )。
- 光刻工艺所需要的三要素为: A: 光刻胶、掩模版和光刻机 B: 光刻胶、掩模版和光刻焦深 C: 光源、光刻胶和曝光时间 D: 光源、光刻胶和掩模版
- 在光刻工艺中，曝光光源的波长越长，则光刻的分辨率越 ；投影式曝光系统中透镜的数值孔径（NA）越大，分辨率越 ；光刻胶的对比度越大，则光刻的分辨率越 。
- 以下各项中不属于光刻工艺三要素的是： 。 A: 光刻胶 B: 显影液 C: 曝光机 D: 掩模版