作为放大器件工作时，耗尽型NMOSFET的栅源电压能用正向偏置。
举一反三
- 中国大学MOOC:"作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。";
- 由于JFET与耗尽型MOSFET同属于耗尽型,因此在正常放大时,加于它们栅、源极间的电压uGS只允许一种极性
- 对于耗尽型绝缘栅场效应管，只有当栅—源极之间加正向电压即UGS〉0时，才存在导电沟道。
- N沟道耗尽型绝缘栅场效应管中,栅源间只能加正向电压,才能建立起导电沟道,产生漏极电流。
- 下面关于绝缘栅场效应管描述正确的是（ ）。 A: 耗尽型MOSFET的导电沟道，在未加入栅源电压时是不存在的； B: 增强型MOSFET的导电沟道，只有当栅源电压超过某个阈值时才会出现； C: N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须小于零 D: N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须大于零