小注入条件是指注入的非平衡少数载流子浓度远小于半导体中的多子浓度
A: 正确
B: 错误
A: 正确
B: 错误
A
举一反三
- 中国大学MOOC: 小注入条件是指注入的非平衡少数载流子浓度远小于半导体中的多子浓度
- 直接复合时，小注入的N型半导体的非平衡载流子寿命主要决定于（ ）。 A: 少子浓度 B: 多子浓度 C: 非平衡少子浓度
- 关于非平衡载流子的说法，正确的有： A: 一般情况，注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。 B: 小注入的情况下，非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。 C: 非平衡少数载流子起重要作用。 D: 非平衡多数载流子起重要作用。
- 小注入的条件是满足注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小的多。
- 异质结的超注入现象是指？ A: 在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。 B: 在异质pn结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度。 C: 在异质pn结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。 D: 在异质pn结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度。
内容
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【单选题】异质结的超注入现象是指? A. 在异质 pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的少数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。 B. 在异质 pn 结中，由宽禁带半导体注入到窄禁带半导体中的多数载流子浓度可超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度 。 C. 在异质 pn 结中，由窄禁带半导体注入到宽禁带半导体中的少数载流子浓度可超过窄禁带半导体中多数载流子的浓度 。 D. 在异质 pn 结中，宽禁带半导体的少数载流子注入到窄禁带半导体中，其浓度超过宽禁带半导体中多数载流子的浓度
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对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与（） A: 平衡载流子浓度成正比 B: 非平衡载流子浓度成正比 C: 平衡载流子浓度成反比 D: 非平衡载流子浓度成反比
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对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。 A: 非平衡载流子浓度成正比； B: 平衡载流子浓度成正比； C: 非平衡载流子浓度成反比； D: 平衡载流子浓度成反比。
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杂质半导体中少数载流子的浓度______本征半导体中载流子浓度。 A: 大于 B: 等于 C: 小于
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杂质半导体中的少数载流子浓度( )奉征半导体中载流子浓度。 A: 大于 B: 小于 C: 等于 D: 大于等于