杂质在硅中的扩散方式有哪些？
恒定表面源扩散和限定表面源扩散
举一反三
- 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是（）扩散和（）扩散。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。
- 在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
- 杂质在硅晶体中的扩散可分为两种机制，分别为 扩散和 扩散。
- 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种，分别是间隙式扩散机制和替代式扩散机制。杂质只有在成为硅晶格结构的一部分，即（），才有助于形成半导体硅。 A: 激活杂质后 B: 一种物质在另一种物质中的运动 C: 预淀积 D: 高温多步退火
- 杂质在硅晶体中的扩散机制主要有两种：间隙式扩散、替位式扩散。其中间隙式扩散比替位式扩散困难。
内容
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二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。
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离子注入有下面哪种特点： A: 掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度 B: 掺杂可控性好于扩散 C: 工艺方法简单、成本低 D: 与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
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硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？ A: 应再扩散71min B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度； C: 应再扩散31 min D: 杂质表面浓度=Ns E: 杂质表面浓度<Ns
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硅恒定源扩散，在扩散温度硅的固溶度为Ns，在进行了40min扩散后，测得结深是1.5μm，若要获得2.0μm的结深，在原工艺基础上应再扩散多少分钟？硅表面杂质浓度是多少？ A: 应再扩散71min B: 表面杂质浓度等于该工艺温度时硅的固溶度； C: 应再扩散31min D: 杂质表面浓度=Ns E: 杂质表面浓度<Ns
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直拉硅中的金属杂质必须避免，它们扩散很快，可以形成复合体或者沉淀，对于硅晶体的电学性质有严重的危害。