对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。
向负偏压方向平行移动
举一反三
- 中国大学MOOC: 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。
- 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将()。 A: 向负偏压方向平行移动 B: 向正偏压方向平行移动 C: 不变 D: 无法判断
- 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？ A: 金属和半导体之间存在功函数差 B: 绝缘层中存在电荷 C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态 D: 外加偏压
- 中国大学MOOC: 理想MIS(p型半导体衬底)结构中,高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下______
- 功函数相等时绝缘层中存在电荷对C-V特性的影响。当薄层电荷贴近金属时对C-V特性没有影响。
内容
- 0
功函数相等时绝缘层中存在电荷对C-V特性的影响。当薄层电荷贴近金属时对C-V特性没有影响。 A: 正确 B: 错误
- 1
功函数相等时绝缘层中存在电荷对C-V特性的影响。当（ ）时对C-V特性影响最大。 A: 当薄层电荷贴近金属 B: 当薄层电荷贴近半导体 C: 当薄层电荷居于金属和半导体中间 D: 当薄层电荷居于氧化层
- 2
MIS结构，氧化层的固定电荷的存在使得C-V曲线往右平移。
- 3
对于p型衬底MOSFET而言，当有效氧化层陷阱电荷数增大时，其C-V特性曲线往左移动。 A: 正确 B: 错误
- 4
MIS结构，氧化层的固定电荷的存在使得C-V曲线往右平移。 A: 正确 B: 错误