中国大学MOOC: 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。
举一反三
- 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。
- 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将()。 A: 向负偏压方向平行移动 B: 向正偏压方向平行移动 C: 不变 D: 无法判断
- 中国大学MOOC: 理想MIS(p型半导体衬底)结构中,高频C-V特性在强反型区与低频C-V特性不同的原因是高频条件下______
- 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？ A: 金属和半导体之间存在功函数差 B: 绝缘层中存在电荷 C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态 D: 外加偏压
- 功函数相等时绝缘层中存在电荷对C-V特性的影响。当薄层电荷贴近金属时对C-V特性没有影响。