对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将()。
A: 向负偏压方向平行移动
B: 向正偏压方向平行移动
C: 不变
D: 无法判断
A: 向负偏压方向平行移动
B: 向正偏压方向平行移动
C: 不变
D: 无法判断
举一反三
- 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。
- 中国大学MOOC: 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。
- 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？ A: 金属和半导体之间存在功函数差 B: 绝缘层中存在电荷 C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态 D: 外加偏压
- 对于p型衬底MOSFET而言，当有效氧化层陷阱电荷数增大时，其C-V特性曲线往左移动。 A: 正确 B: 错误
- N型硅衬底的MOS结构，当其栅极施加 偏压时，半导体表面附近会形成一层 层。 A: 正，电子积累 B: 负，电子积累 C: 正，空穴反型层 D: 正，电子反型层