中国大学MOOC: 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。
举一反三
- 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。 A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0 B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0 C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和 D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大
- N沟道增强型MOSFET工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置
- N沟道结型场效应管工作时,栅-源电压vGS和漏-源电压vDS应如下配置( )
- 在N沟道JFET中，随着栅源电压的反向增大，使沟道消失所对应的栅源电压称为（）。 A: 截止电压 B: 导通电压 C: 夹断电压 D: 预夹断电压
- 中国大学MOOC: MOS晶体管属于电压控制器件，漏源电流IDS主要由栅源电压VGS控制，与漏源电压VDS无关。