理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？
A: 多子积累
B: 多子耗尽
C: 平坦能带
D: 本征状态
E: 少子反型
F: 少子积累
G: 少子耗尽
A: 多子积累
B: 多子耗尽
C: 平坦能带
D: 本征状态
E: 少子反型
F: 少子积累
G: 少子耗尽
举一反三
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时，处于哪种状态？? 少子反型|多子耗尽|少子积累|多子积累
- 理想的MIS结构在外加偏压的作用下，半导体表面可能形成的状态有？? 本征状态|少子耗尽|少子积累|少子反型
- 当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有( ) A: 多子积累 B: 多子耗尽 C: 少子反型 D: 少子积累 E: 少子耗尽 F: 多子反型
- 当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有( ) A: 多子积累 B: 多子耗尽 C: 少子反型 D: 少子积累 E: 少子耗尽 F: 多子反型
- 对于理想的MIS结构，在外加偏压作用下，半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是？ A: 本征状态 B: 平坦能带状态 C: 多子积累状态 D: 深耗尽状态