对于p型半导体形成的MIS结构，处于少子反型状态时，空间电荷层内的负电荷是
A: 电离的受主负电荷
B: 反型层中的电子
C: 电离的受主负电荷和反型层中的电子
D: 以上都不对
A: 电离的受主负电荷
B: 反型层中的电子
C: 电离的受主负电荷和反型层中的电子
D: 以上都不对
举一反三
- 电荷可分为正电荷与负电荷，电子则带有负电，一个电子的电荷量为1.6×10-9C（）
- p型的MOS结构半导体表面处于反型区时，空间电荷是 的，为 （ ）。 A: 正，电离施主杂质 B: 正，电离施主杂质和空穴 C: 负，电离受主杂质 D: 负，电离受主杂质和电子
- 中国大学MOOC: 强反型时，理想MOS结构表面空间电荷区中的电荷为负电荷，说明该MOS结构的衬底是P型
- p型空间电荷区由（ ）构成。 A: 电子 B: 空穴 C: 带正电的电离施主杂质 D: 带负电的电离受主杂质
- 以n型半导体MIS结构为例，当在栅极上加上负电压时，随着电压的加大，吸引到半导体表面的（）浓度迅速增加，形成反型层。 A: 电子 B: 电离施主 C: 空穴 D: 电离受主