MIS结构，氧化层的固定电荷的存在使得C-V曲线往右平移。
错
举一反三
- MIS结构，氧化层的固定电荷的存在使得C-V曲线往右平移。 A: 正确 B: 错误
- 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？ A: 金属和半导体之间存在功函数差 B: 绝缘层中存在电荷 C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态 D: 外加偏压
- 当时,实际MIS结构的C-V曲线相对于理想MIS结构的C-V曲线()移动。 A: 向上 B: 向下 C: 向左 D: 向右
- 中国大学MOOC: 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？
- 已知氧化层的电容密度，可以从理想MIS高频C-V曲线的测量直接求出半导体的（）。
内容
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对MIS电容有明显影响的是 A: 界面陷阱电荷 Qit B: 氧化层中固定电荷 Qf C: 氧化层中可动电荷 Qm D: 氧化层中陷阱电荷 Qot
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对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。
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高频MIS的C-V曲线与低频C-V曲线的分叉点出现在弱反型区。
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功函数相等时绝缘层中存在电荷对C-V特性的影响。当（ ）时对C-V特性影响最大。 A: 当薄层电荷贴近金属 B: 当薄层电荷贴近半导体 C: 当薄层电荷居于金属和半导体中间 D: 当薄层电荷居于氧化层
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中国大学MOOC: 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。