中国大学MOOC: 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？
举一反三
- 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？ A: 金属和半导体之间存在功函数差 B: 绝缘层中存在电荷 C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态 D: 外加偏压
- 当时,实际MIS结构的C-V曲线相对于理想MIS结构的C-V曲线()移动。 A: 向上 B: 向下 C: 向左 D: 向右
- 中国大学MOOC: 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。
- 对于理想MIS结构（半导体为p型），功函数差造成C-V特性曲线向右偏移，此时（ ） A: Wm＜Ws B: Wm＞Ws C: Wm=Ws D: 无法比较
- 对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将( )。