当时,实际MIS结构的C-V曲线相对于理想MIS结构的C-V曲线()移动。
A: 向上
B: 向下
C: 向左
D: 向右
A: 向上
B: 向下
C: 向左
D: 向右
举一反三
- 中国大学MOOC: 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？
- 对于实际的MIS结构，哪些因素会影响MIS结构的C-V特性曲线，使曲线相较于理想MIS结构的C-V特性曲线发生偏移？ A: 金属和半导体之间存在功函数差 B: 绝缘层中存在电荷 C: 半导体与绝缘层的界面处存在表面态 D: 外加偏压
- 对于理想MIS结构（半导体为p型），功函数差造成C-V特性曲线向右偏移，此时（ ） A: Wm＜Ws B: Wm＞Ws C: Wm=Ws D: 无法比较
- MIS结构，氧化层的固定电荷的存在使得C-V曲线往右平移。
- 高频MIS的C-V曲线与低频C-V曲线的分叉点出现在弱反型区。