MOCVD可以显著降低外延薄膜的生长温度。
举一反三
- 中国大学MOOC:在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？
- 在蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜,一般首先生长成核层和缓冲层,以改善GaN外延薄膜的晶体质量。(<br/>)
- 在GaAs衬底上外延生长GaAs薄膜,称为()。 A: 同质结外延 B: 异质结外延 C: 正外延 D: 反外延
- 为减少自掺杂现象，可以采取的措施有：（）。 A: 衬底背面用高纯硅或二氧化硅覆盖 B: 用两步外延法 C: 低压外延法 D: 降低外延生长温度
- 外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法，衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂，比如Sb。