MOCVD可以显著降低外延薄膜的生长温度。

金属有机化合物化学气相沉淀的缩写为（）。 A: LPCVD B: MOCVD C: ICPCVD D: APCVD

在溶液镀膜法中各列举一个制备Al2O3薄膜的方法是 。 A: 电子束蒸发 B: 阳极氧化 C: MOCVD D: 射频溅射

异质结的制备方法通常包括() A: 液相外延 B: 金属有机化学气相沉积MOCVD C: 分子束外延MBE

以下不为MOCVD设备气体输运系统的选项为（） A: 源供给系统 B: 气体输运系统 C: 冷却系统 D: 尾气处理系统

目前典型的CVD系统主要可分为三种，其中淀积温度最高的是 。 A: APCVD B: PECVD C: LPCVD D: MOCVD

中国大学MOOC:在VPE、MBE、SEG、LPE、SPE、UHV/CVD、MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？