对于NPN晶体管，注入到基区的电子电流与发射极总电流之比称为注入效率
举一反三
- 对于PNP型均匀基区晶体管，基区输运系数定义为（ ）。 A: 发射极短路时，到达集电结的电子电流与注入到基区的电子电流之比 B: 发射极短路时，到达集电结的空穴电流与注入到基区的空穴电流之比 C: 集电极短路时，到达集电结的电子电流与注入到基区的电子电流之比 D: 集电极短路时，到达集电结的空穴电流与注入到基区的空穴电流之比
- 中国大学MOOC: 基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比，称为基区输运系数。
- NPN三级管的集电极电流是总电流，它等于发射极和其极电流之和。（)
- 在晶体管的图形符号中，NPN管发射电流方向是 的，PNP管的发射电流方向是 的。
- 中国大学MOOC: 晶体管基区中少子积累的变化在发射结电容充放电完成__发生，基极电流的相位__于发射极电流的变化（ ）。