中国大学MOOC: 基区中到达集电结的少子电流与从发射区注入基区的少子形成的电流之比，称为基区输运系数。
举一反三
- 晶体管的基区输运系数是指（）电流与（）电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生（），从而使基区输运系数（）。为了提高基区输运系数，应当使基区宽度（）基区少子扩散长度。
- 对于PNP型均匀基区晶体管，基区输运系数定义为（ ）。 A: 发射极短路时，到达集电结的电子电流与注入到基区的电子电流之比 B: 发射极短路时，到达集电结的空穴电流与注入到基区的空穴电流之比 C: 集电极短路时，到达集电结的电子电流与注入到基区的电子电流之比 D: 集电极短路时，到达集电结的空穴电流与注入到基区的空穴电流之比
- 中国大学MOOC: 从发射结注入基区的少子，由于渡越基区需要时间tb ，将对输运过程产生三方面的影响( )。
- 对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。
- 对于漂移晶体管，为提高电流放大系数，可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比，减小基区宽度，提高基区自建电场因子，提高基区少子寿命和迁移率等措施。