引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（）。
A: 发射结正偏电压变化
B: 集电结反偏电压变化
C: 基区少子浓度梯度变化
D: 发射结势垒宽度变化
A: 发射结正偏电压变化
B: 集电结反偏电压变化
C: 基区少子浓度梯度变化
D: 发射结势垒宽度变化
举一反三
- 引起晶体管基区宽度调制效应的主要原因是（）。 A: 发射结正偏电压变化 B: 集电结反偏电压变化 C: 基区少子浓度梯度变化 D: 发射结势垒宽度变化
- 由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出 的充放电效应。（ ） A: 集电结势垒电容 B: 集电结扩散电容 C: 发射结势垒电容 D: 发射结扩散电容
- 由于双极型晶体管有效基区宽度的变化，引起基区中少子积累的变化，反应出（ ）的充放电效应。 A: 集电结势垒电容 B: 集电结扩散电容 C: 发射结势垒电容 D: 发射结扩散电容
- 18、双极晶体管发射结扩散电容是指（ ） A: A基区少子电荷随发射结电压的变化率 B: B基区少子电荷随发射结电流的变化率 C: C发射区少子电荷随发射结电压的变化率 D: D集电区少子电荷随发射结电压的变化率
- 晶体管工作在放大区时，各极电压为（） A: 集电结正偏，发射结反偏 B: 集电结反偏，发射集正偏 C: 集电结，发射结均反偏 D: 集电结，发射结均正偏