对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。
举一反三
- 对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。
- 对于漂移晶体管,为提高电流放大系数,可以考虑降低发射区与基区的方块电阻之比,减小基区宽度,提高基区自建电场因子,提高基区少子寿命和迁移率等措施。 A: 正确 B: 错误
- 以下各项中,不能提高双极型晶体管电流放大系数的措施是( )。 A: 降低发射区与基区的方块电阻之比 B: 减小基区宽度 C: 减小基区自建电场因子 D: 提高基区少子寿命和迁移率
- 晶体管的基区输运系数是指()电流与()电流之比。由于少子在渡越基区的过程中会发生(),从而使基区输运系数()。为了提高基区输运系数,应当使基区宽度()基区少子扩散长度。
- 要提高均匀基区晶体管的电流放大系数的方法( )。 A: 增大基区掺杂浓度 B: 减小基区掺杂浓度 C: 增大基区宽度 D: 减小基区宽度