在金属铜的双大马士革铜抛光工艺中，研磨通常包括下面哪几步？（）
A: 磨掉晶圆表面的大部分金属
B: 降低研磨速率的方法精磨与阻挡层接触的金属，并通过终点侦测使研磨停在阻挡层上
C: 磨掉阻挡层以及少量的介质氧化物
D: 用大量的去离子水（DIW）清洗研磨垫和晶圆两侧表面
A: 磨掉晶圆表面的大部分金属
B: 降低研磨速率的方法精磨与阻挡层接触的金属，并通过终点侦测使研磨停在阻挡层上
C: 磨掉阻挡层以及少量的介质氧化物
D: 用大量的去离子水（DIW）清洗研磨垫和晶圆两侧表面
A,B,C,D
举一反三
- 中国大学MOOC: 在金属铜的双大马士革铜抛光工艺中，研磨通常包括下面哪几步？（）
- 在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。 A: 晶圆顶层的保护层 B: 多层金属的介质层 C: 多晶硅与金属之间的绝缘层 D: 掺杂阻挡层 E: 晶圆片上器件之间的隔离
- 在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。 A: A晶圆顶层的保护层 B: B多层金属的介质层 C: C多晶硅与金属之间的绝缘层 D: D掺杂阻挡层 E: E晶圆片上器件之间的隔离
- 如果金属和n型半导体接触，金属功函数小于半导体功函数，则接触后形成的空间电荷区为（ ） A: 阻挡层 B: 反阻挡层 C: 隧道层 D: 接触层
- 研磨和抛光是玻璃制品表面重要的冷加工方法之一，简称为磨光。以下哪种工艺可以去除玻璃制品表面的裂纹层，使玻璃表面变得光滑透明并具有光泽？ A: 研磨 B: 抛光 C: 钢化 D: 表面镀膜
内容
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不考虑表面态，金属和p型半导体接触，如果金属功函数小于半导体功函数，则称它们接触后形成的空间电荷区为（ ） A: 阻挡层 B: 反阻挡层 C: 隧道层 D: 接触曾
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金属材质的电脑笔记本表面的细腻条纹状肌理所使用的加工工艺是 A: 表面锻打 B: 阳极氧化 C: 金属拉丝 D: 研磨抛光
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金属材质的电脑笔记本表面的细腻条纹状肌理所使用的加工工艺是 A: 表面锻打 B: 阳极氧化 C: 金属拉丝 D: 研磨抛光
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光整加工包括（）。 A: 精加工、珩磨、研磨、抛光 B: 超精加工、珩磨、研磨、抛光 C: 超精加工、珩磨、精镗、抛光 D: 超精加工、精磨、研磨、抛光
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中国大学MOOC: 化学机械研磨技术，兼具有研磨性物质的（）研磨与酸碱溶液的（）研磨两种作用，可以使晶圆表面达到全面性的平坦化，以利于后续薄膜沉积之进行。