硅外延生长工艺包括
A: 衬底制备
B: 原位HCl腐蚀
C: 生长温度、压力、速度
D: 尾气处理
A: 衬底制备
B: 原位HCl腐蚀
C: 生长温度、压力、速度
D: 尾气处理
举一反三
- 硅外延生长工艺包括（）。 A: A衬底制备 B: B原位HCl腐蚀 C: C生长温度，生长压力，生长速度 D: D尾气的处理
- LED地材料制备包括什么？（) A: 外延片地制备 B: 衬底材料地制备 C: 外延片地生长 D: 衬底材料地生长
- 在外延工艺中，如果膜和衬底材料相同，例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（ ） A: 同质外延 B: 异质外延
- 在外延工艺中，如果膜和衬底材料不一致，例如蓝宝石衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（ ） A: 同质外延 B: 异质外延
- 在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。