刻蚀可以通过化学或物理步骤选择性移除晶圆表面材料，在湿法刻蚀、干法刻蚀、等离子体刻蚀和激光刻蚀工艺中，（ ）因底切效应无法用于刻蚀小于3μm的图形。
A: 干法刻蚀
B: 湿法刻蚀
C: 等离子体刻蚀
D: 激光刻蚀
A: 干法刻蚀
B: 湿法刻蚀
C: 等离子体刻蚀
D: 激光刻蚀
举一反三
- 在刻蚀工艺中，具有最高选择性的刻蚀工艺是 A: 等离子体刻蚀 B: 干法刻蚀 C: 湿法刻蚀 D: 物理刻蚀
- 干法刻蚀和湿法刻蚀二者中，通常（）的刻蚀选择比较高，（）的刻蚀通常是各向异性。 A: 湿法刻蚀 干法刻蚀 B: 干法刻蚀 湿法刻蚀 C: 湿法刻蚀 湿法刻蚀 D: 干法刻蚀 干法刻蚀
- 刻蚀根据是否采用化学溶液分为 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 溅射刻蚀
- （）的刻蚀方法是以等离子体辅助来进行薄膜刻蚀的一种技术。 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 化学刻蚀 D: 物理刻蚀
- 微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种( )。 A: 离子束刻蚀、激光刻蚀 B: 干法刻蚀、湿法刻蚀 C: 溅射加工、直写加工 D: 激光刻蚀、电子束刻蚀