干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、 刻蚀三种。（写文字
干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、 刻蚀三种。（写文字
以下刻蚀方法中，不属于各向同性的刻蚀是（）。 A: 湿法刻蚀 B: 溅射刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 反应离子刻蚀
以下刻蚀方法中，不属于各向同性的刻蚀是（）。 A: 湿法刻蚀 B: 溅射刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 反应离子刻蚀
刻蚀根据是否采用化学溶液分为 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 溅射刻蚀
刻蚀根据是否采用化学溶液分为 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 溅射刻蚀
在刻蚀工艺中，具有最高选择性的刻蚀工艺是 A: 等离子体刻蚀 B: 干法刻蚀 C: 湿法刻蚀 D: 物理刻蚀
在刻蚀工艺中，具有最高选择性的刻蚀工艺是 A: 等离子体刻蚀 B: 干法刻蚀 C: 湿法刻蚀 D: 物理刻蚀
中国大学MOOC: 干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、 刻蚀三种。（写文字）
中国大学MOOC: 干法刻蚀的方式主要有：溅射刻蚀、等离子体刻蚀、 刻蚀三种。（写文字）
干法刻蚀是利用 进行薄膜刻蚀的技术 A: 、等离子体 B: 、离子 C: 、光子 D: 、电子
干法刻蚀是利用 进行薄膜刻蚀的技术 A: 、等离子体 B: 、离子 C: 、光子 D: 、电子
刻蚀可以通过化学或物理步骤选择性移除晶圆表面材料，在湿法刻蚀、干法刻蚀、等离子体刻蚀和激光刻蚀工艺中，（ ）因底切效应无法用于刻蚀小于3μm的图形。 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 激光刻蚀
刻蚀可以通过化学或物理步骤选择性移除晶圆表面材料，在湿法刻蚀、干法刻蚀、等离子体刻蚀和激光刻蚀工艺中，（ ）因底切效应无法用于刻蚀小于3μm的图形。 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 激光刻蚀
干法刻蚀主要包括下面几类（）。 A: 离子束刻蚀IBE B: 等离子体刻蚀PE C: 反应离子刻蚀RIE D: 高密度等离子体刻蚀HDP
干法刻蚀主要包括下面几类（）。 A: 离子束刻蚀IBE B: 等离子体刻蚀PE C: 反应离子刻蚀RIE D: 高密度等离子体刻蚀HDP
RIE的含义是 A: 溅射刻蚀 B: 反应离子刻蚀 C: 等离子体刻蚀
RIE的含义是 A: 溅射刻蚀 B: 反应离子刻蚀 C: 等离子体刻蚀
什么是等离子刻蚀？
什么是等离子刻蚀？