在刻蚀工艺中，具有最高选择性的刻蚀工艺是
A: 等离子体刻蚀
B: 干法刻蚀
C: 湿法刻蚀
D: 物理刻蚀
A: 等离子体刻蚀
B: 干法刻蚀
C: 湿法刻蚀
D: 物理刻蚀
举一反三
- 刻蚀可以通过化学或物理步骤选择性移除晶圆表面材料，在湿法刻蚀、干法刻蚀、等离子体刻蚀和激光刻蚀工艺中，（ ）因底切效应无法用于刻蚀小于3μm的图形。 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 等离子体刻蚀 D: 激光刻蚀
- 干法刻蚀和湿法刻蚀二者中，通常（）的刻蚀选择比较高，（）的刻蚀通常是各向异性。 A: 湿法刻蚀 干法刻蚀 B: 干法刻蚀 湿法刻蚀 C: 湿法刻蚀 湿法刻蚀 D: 干法刻蚀 干法刻蚀
- （）的刻蚀方法是以等离子体辅助来进行薄膜刻蚀的一种技术。 A: 干法刻蚀 B: 湿法刻蚀 C: 化学刻蚀 D: 物理刻蚀
- 三种干法刻蚀方法中，选择性最好的是 。 A: 等离子刻蚀 B: 溅射刻蚀 C: 反应离子刻蚀 D: 湿法刻蚀
- 微细加工技术中的刻蚀工艺可分为（）。 A: 湿法刻蚀 B: 干法刻蚀、 C: 混合刻蚀