一维简单晶格，紧束缚近似下s态能带函数Es(k)，其能带顶部空穴有效质量和能带底部电子有效质量分别为？
A: [img=170x27]180392369198574.png[/img]
B: [img=184x27]1803923699f97ad.png[/img]
C: [img=184x27]18039236a1e68d7.png[/img]
D: [img=198x27]18039236a9af1b0.png[/img]
A: [img=170x27]180392369198574.png[/img]
B: [img=184x27]1803923699f97ad.png[/img]
C: [img=184x27]18039236a1e68d7.png[/img]
D: [img=198x27]18039236a9af1b0.png[/img]
举一反三
- 一维简单晶格，紧束缚近似下s态能带函数Es(k)，其能带顶部空穴有效质量和能带底部电子有效质量分别为？ 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 函数[img=121x37]17e4390faefecbb.png[/img]的极值为() A: 在x=-2处取极大值27 B: 在x=-2处取极小值27 C: 在x=-3处取极小值27 D: 在x=-3处取极大值27
- 紧束缚近似下晶格常数为a的简立方晶体的s电子能带函数E(k)为 A: [img=481x44]1803be1d4c0d78b.png[/img] B: [img=284x44]1803be1d558de60.png[/img] C: [img=321x28]1803be1d604780b.png[/img] D: [img=181x27]1803be1d68b9f49.png[/img]
- 紧束缚近似下晶格常数为a的二维正方形晶格的s电子能带函数为 A: [img=244x44]1803be1d70d7559.png[/img] B: [img=228x28]1803be1d7c4590d.png[/img] C: [img=260x28]1803be1d89258cb.png[/img] D: [img=183x27]1803be1d91adb95.png[/img]
- 函数f(x)=[img=40x76]17e0bf8d391c13e.png[/img]的不连续点为( ) 未知类型：{'options': ['x=0', ' x=[img=43x39]17e0bf8d4513730.png[/img](k=0,±1,±2,…)', ' x=0和x=2kπ(k=0,±1,±2,…)', ' x=0和x=[img=43x39]17e0bf8d4513730.png[/img](k=0,±1,±2,…)'], 'type': 102}