一维简单晶格，紧束缚近似下s态能带函数Es(k)的极大值和极小值对应的电子波失分别位于？
未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
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A
举一反三
- 一维简单晶格，紧束缚近似下s态能带函数Es(k)的极大值和极小值对应的电子波失分别位于？ 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一维简单晶格，紧束缚近似下s态能带函数Es(k)，其能带顶部空穴有效质量和能带底部电子有效质量分别为？ 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一维简单晶格，紧束缚近似下能态密度函数N(E)的范霍夫奇点对应的电子波失为？ 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 紧束缚近似下晶格常数为a的简立方晶体的s电子能带函数E(k)为 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 紧束缚近似下，影响简单晶格s态能带函数Es(k)宽度的主要因素是？ A: 重叠积分大小 B: 原子能级 C: 轨道形状 D: 轨道对称性
内容
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紧束缚近似下,一维单原子链中s电子的k态电子速度[img=33x25]1803be1d4501e77.png[/img]满足 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
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一维简单晶格，紧束缚近似下s态能带函数Es(k)，其能带顶部空穴有效质量和能带底部电子有效质量分别为？ A: [img=170x27]180392369198574.png[/img] B: [img=184x27]1803923699f97ad.png[/img] C: [img=184x27]18039236a1e68d7.png[/img] D: [img=198x27]18039236a9af1b0.png[/img]
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函数[img=105x46]17de91eb9c54cba.png[/img]取得极大值和极小值分别为 。 未知类型：{'options': ['17de66912a170b6.png, 0', '', '', 'e,0'], 'type': 102}
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函数[img=105x46]17de694a61dd477.png[/img]取得极大值和极小值分别为 。 未知类型：{'options': ['17de694a6d4efb5.png, 0', '', '', 'e,0'], 'type': 102}
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紧束缚近似下晶格常数为a的一维单原子链中s电子的k态电子有效质量满足