紧束缚近似下晶格常数为a的简立方晶体的s电子能带函数E(k)为
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举一反三
- 一维简单晶格，紧束缚近似下s态能带函数Es(k)，其能带顶部空穴有效质量和能带底部电子有效质量分别为？ 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 紧束缚近似下晶格常数为a的简立方晶体的s电子能带函数E(k)为 A: [img=481x44]1803be1d4c0d78b.png[/img] B: [img=284x44]1803be1d558de60.png[/img] C: [img=321x28]1803be1d604780b.png[/img] D: [img=181x27]1803be1d68b9f49.png[/img]
- 一维简单晶格，紧束缚近似下s态能带函数Es(k)的极大值和极小值对应的电子波失分别位于？ 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 一维简单晶格，紧束缚近似下s态能带函数Es(k)的极大值和极小值对应的电子波失分别位于？ 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}
- 面心立方晶体的晶格常数为a，则其(111)晶面的面间距为（ ）。 未知类型：{'options': ['', '', '', ''], 'type': 102}